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RAM statica - R1LV1616HBG-5SI#B0

RAM statica

Articolo no. : R1LV1616HBG-5SI#B0
Particolari del fornitore
Paese : Taiwan
Città : Taipei
Indirizzo : 11493 8F, No.79, Chow Tze St
TEL: +886-2-55825588
Fax : +886-2-55805500
Sala d'esposizione in linea : 78 Prodotti
SRAM
  1. Ampio Intervallo di temperatura Versione 16 M SRAM (1-Mword × 16-bit)
  2. Descrizione: La serie R1LV1616HBG-I è di 16 Mbit di RAM statica organizzato 1-Mword × 16 bit. R1LV1616HBG-I Series ha realizzato una maggiore densità, prestazioni più elevate e un basso consumo energetico con l'impiego della tecnologia di processo CMOS (cella di memoria 6-transistor). Offre bassa potenza dissipazione di potenza in standby; Pertanto, è adatto per sistemi di backup batteria.
  3. Caratteristiche:
    • Singola alimentazione 3.0 V: 2,7 V a 3,6 V
    • tempo di accesso rapido: 45/55 ns (max)
    • Dissipazione di potenza:
      -Active: 9 mW / MHz (tip)
      -Standby: 1.5? W (tip)
    • Completamente memoria statica.
      -No Orologio o tempistica strobo richiesto
    • Parità di accesso e tempi di ciclo
    • Ingresso comune ed emissione di dati.
      Uscita stato -Tre
    • operazione di backup della batteria.
      selezione di chip -2 per il backup della batteria
    • Campo di temperatura: da -40 a + 85 ° C
  4. Tempi di consegna: solitamente 7-10 giorni dal distributore
  5. Pagamento: T / T in anticipo
Abbiamo avuto successo nello stabilire il nostro marchio e la vendita al mercato internazionale grazie alla nostra eccellente qualità e il servizio di

RAM statica

. Fornire i migliori prodotti di qualità conformi alle esigenze culturali del cliente è il fine ultimo di noi.