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Static RAM - R1LV1616HBG-5SI#B0

Static RAM

Einzelteil Nr. : R1LV1616HBG-5SI#B0
Lieferanten-Sonderkommandos
Land : Taiwan
Die Stadt : Taipei
Adresse : 11493 8F, No.79, Chow Tze St
TEL: +886-2-55825588
Fax : +886-2-55805500
On-line Ausstellungsraum : 78 Produkte
SRAM
  1. Großer Temperaturbereich Version 16 M SRAM (1-Mword × 16-Bit)
  2. Beschreibung: Die R1LV1616HBG-I-Serie ist mit 16 Mbit statisches RAM organisiert 1-Mword × 16-Bit. R1LV1616HBG-I-Serie hat eine höhere Dichte realisiert, höhere Leistung und einen geringen Stromverbrauch von CMOS-Prozesstechnologie (6- Transistor-Speicherzelle) verwendet. Es bietet Low-Power-Standby-Verlustleistung; daher ist es für die Batterie-Backup-Systeme geeignet.
  3. Eigenschaften:
    • Einzel 3,0-V-Versorgung: 2,7 V bis 3,6 V
    • Schnelle Zugriffszeit: 45/55 ns (max)
    • Energieverschwendung:
      -Active: 9 mW / MHz (typ)
      -Bereitschaft: 1,5 & mgr; W (typ)
    • Völlig statischen Speicher.
      -Keine Uhr oder Timing Strobe erforderlich
    • Gleicher Zugang und Zykluszeiten
    • Gemeinsame Dateneingang und -ausgang.
      -Drei Zustand Ausgang
    • Batterie-Backup-Betrieb.
      -2-Chip-Auswahl für Batterie-Backup
    • Temperaturbereich: -40 bis + 85 ° C
  4. Lieferzeit: In der Regel 7-10 Tage vom Verteiler
  5. Zahlung: T / T im Voraus
Wir haben beim Aufbau unserer Marke und den Verkauf an den internationalen Markt aufgrund unserer ausgezeichneten Qualität und Service für eine erfolgreiche

Static RAM

. Optimale Qualität liefert Produkte entsprechend den kulturellen Bedürfnissen des Kunden ist das oberste Ziel von uns.