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estática RAM - R1LV1616HBG-5SI#B0

estática RAM

N º del Artículo : R1LV1616HBG-5SI#B0
Detalles del surtidor
País : Taiwan
Ciudad : Taipei
Dirección : 11493 8F, No.79, Chow Tze St
TEL: +886-2-55825588
Fax : +886-2-55805500
Sala de exhibición en línea : 78 Productos
SRAM
  1. Temperatura amplia gama Versión 16 M SRAM (1-Mpalabras × 16 bits)
  2. Descripción: La serie R1LV1616HBG-I es de 16 Mbit RAM estática organizado 1-Mpalabras × 16 bits. R1LV1616HBG-I de la serie ha dado cuenta de mayor densidad, mayor rendimiento y bajo consumo de energía mediante el empleo de la tecnología de proceso CMOS (transistor de celda de memoria 6). Dispone de baja potencia de disipación de energía de reserva; Por lo tanto, es adecuado para sistemas de copia de seguridad de la batería.
  3. caracteristicas:
    • Sola fuente de alimentación de 3,0 V: 2,7 V a 3,6 V
    • tiempo de acceso rápido: 45/55 ns (máx)
    • Disipación de potencia:
      -active: 9 mW / MHz (típico)
      -Standby: 1,5 mW (típico)
    • Completamente memoria estática.
      -No Reloj o el calendario estroboscópica requiere
    • Igualdad de acceso y los tiempos de ciclo
    • de entrada de datos común y de salida.
      Salida de estado -tres
    • la operación de copia de seguridad de la batería.
      la selección de chip -2 para copia de seguridad de batería
    • Rango de temperatura: -40 a + 85 ° C
  4. El tiempo de entrega: Generalmente 7-10 días a partir del distribuidor
  5. Pago: T / T por adelantado
Hemos tenido éxito en el establecimiento de nuestra marca y la venta al mercado internacional debido a nuestra excelente calidad y el servicio de

estática RAM

. Entrega de los productos de mejor calidad que se ajusten a las necesidades culturales de que el cliente es el objetivo último de nosotros.