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RAM statique - R1LV1616HBG-5SI#B0

RAM statique

Numéro d'article. : R1LV1616HBG-5SI#B0
Fournisseur Détails
Pays : Taiwan
Ville : Taipei
Adresse : 11493 8F, No.79, Chow Tze St
TEL: +886-2-55825588
Fax : +886-2-55805500
Salle d'exposition en ligne : 78 Produits
SRAM
  1. Large Plage de température Version 16 M SRAM (1-Mword × 16 bits)
  2. Description: La série R1LV1616HBG-I est de 16 Mbit RAM statique organisée 1-Mword × 16 bits. R1LV1616HBG-I Series a réalisé une densité plus élevée, des performances plus élevées et une faible consommation d'énergie en utilisant la technologie CMOS de processus (cellule de mémoire 6- transistor). Il dispose d'une faible puissance électrique en veille dissipation; Par conséquent, il est approprié pour des systèmes de batterie de secours.
  3. Caractéristiques:
    • Simple 3.0 V Alimentation: 2,7 V à 3,6 V
    • Rapide temps d'accès: 45/55 ns (max)
    • Dissipation de puissance:
      -Active: 9 mW / MHz (typ)
      -standby: 1,5 uW (typ)
    • La mémoire entièrement statique.
      -Pas Horloge ou calendrier stroboscopique requis
    • fois l'égalité d'accès et de cycle
    • entrée de données commune et la sortie.
      sortie -Trois d'état
    • opération de sauvegarde de la batterie.
      sélection de puce -2 pour la sauvegarde de la batterie
    • Plage de température: -40 à + 85 ° C
  4. Délai de livraison: Habituellement 7-10 jours de distributeur
  5. Paiement: T / T à l'avance
Nous avons réussi à établir notre marque et la vente sur le marché international en raison de notre excellente qualité et le service de

RAM statique

. Offrir les meilleurs produits de qualité conformes aux besoins culturels du client est le but ultime de nous.