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CMOS RAM - IS61WV25616BLL-10TLI

CMOS RAM

Artigo no. : IS61WV25616BLL-10TLI
Detalhes do fornecedor
País : Taiwan
Cidade : Taipei
Endereço : 11493 8F, No.79, Chow Tze St
TEL: +886-2-55825588
Fax : +886-2-55805500
Sala de exposições em linha : 78 Productos
SRAM
  1. 256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
  2. Descrição: A ISSI IS61WV25616Axx / Bxx e IS64WV25616Bxx são de alta velocidade, RAMs 4.194.304 bits estáticos organizados como 262.144 palavras por 16 bits.
  3. Características:
    Alta velocidade: (IS61 / 64WV25616ALL / BLL)
    • tempo de acesso de alta velocidade: 8, 10, 20 ns
    • Baixo consumo elevado: 85 mW (típico)
    • Low Power Standby: 7 mW (típico) espera CMOS
    • BAIXA POTÊNCIA: (IS61 / 64WV25616ALS / BLS)
    • tempo de acesso de alta velocidade: 25, 35, 45 ns
    • Baixo consumo elevado: 35 mW (típico)
    • Low Power espera: 0,6 mW (típico) espera CMOS
    • Fonte de alimentação única
      - VDD 1.65V para 2.2V (IS61WV25616Axx)
      - Vdd 2.4V para 3.6V (IS61 / 64WV25616Bxx)
    • Operação totalmente estático: no relógio ou atualização necessária
    • Três saídas de estado
    • controle de dados para bytes superiores e inferiores
  4. Prazo de entrega: 2 semanas do distribuidor
  5. Pagamento: T / T adiantado
Temos sido bem sucedidos no estabelecimento de a nossa marca e venda ao mercado internacional devido para a nossa qualidade excelente e serviço de

CMOS RAM

. Oferecendo os melhores produtos de qualidade conformes com as necessidades culturais do cliente é o objetivo final de nós.