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CMOS रैम - IS61WV25616BLL-10TLI

CMOS रैम

आइटम नंबर : IS61WV25616BLL-10TLI
प्रदायक विवरण
देश : ताइवान
शहर : Taipei
पता : 11493 8F, No.79, Chow Tze St
TEL: +886-2-55825588
Fax : +886-2-55805500
ऑनलाइन शोरूम : 78 उत्पाद
SRAM
  1. 256K x 16 हाई स्पीड अतुल्यकालिक CMOS स्थिर राम
  2. विवरण: ISSI IS61WV25616Axx / Bxx और IS64WV25616Bxx उच्च गति, 4,194,304-बिट स्थिर 16 बिट्स से 262,144 शब्द के रूप में आयोजित मेढ़े हैं।
  3. विशेषताएं:
    उच्च गति: (IS61 / 64WV25616ALL / BLL)
    • उच्च गति का उपयोग समय: 8, 10, 20 एनएस
    • कम सक्रिय पावर: 85 मेगावाट (विशिष्ट)
    • कम अतिरिक्त बिजली: 7 मेगावाट (विशिष्ट) CMOS स्टैंडबाई
    • कम बिजली: (IS61 / 64WV25616ALS / बी एल)
    • उच्च गति का उपयोग समय: 25, 35, 45 एनएस
    • कम सक्रिय पावर: 35 मेगावाट (विशिष्ट)
    • कम अतिरिक्त बिजली: 0.6 मेगावाट (विशिष्ट) CMOS स्टैंडबाई
    • एकल बिजली की आपूर्ति
      - Vdd 1.65V 2.2V करने के लिए (IS61WV25616Axx)
      - 3.6V को 2.4V Vdd (IS61 / 64WV25616Bxx)
    • पूरी तरह से स्थिर आपरेशन: कोई घड़ी या ताज़ा आवश्यक
    • तीन राज्य outputs
    • ऊपरी और निचले बाइट के लिए डेटा नियंत्रण
  4. प्रसव के समय: 2weeks वितरक से
  5. भुगतान: अग्रिम में टी / टी
हम अंतरराष्ट्रीय बाजार के लिए हमारे उत्कृष्ट गुणवत्ता और सेवा की वजह से हमारे ब्रांड और बिक्री स्थापित करने में सफल रहे हैं

CMOS रैम

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