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CMOS RAM estática - IS62WV51216BLL-55TLI

CMOS RAM estática

N º del Artículo : IS62WV51216BLL-55TLI
Detalles del surtidor
País : Taiwan
Ciudad : Taipei
Dirección : 11493 8F, No.79, Chow Tze St
TEL: +886-2-55825588
Fax : +886-2-55805500
Sala de exhibición en línea : 78 Productos
SRAM
  1. 512K x 16 BAJA TENSIÓN, potencia ultra baja CMOS RAM estática
  2. Descripción: El ISSI IS62WV51216ALL / IS62WV51216BLL son de alta velocidad, memorias RAM estáticas 8M bits organizados como 512K palabras de 16 bits.
  3. caracteristicas:
    • el tiempo de acceso de alta velocidad: 45ns, 55ns
    • CMOS de bajo consumo de energía
      - 36 mW (típico) operativo
      - 12 mW (típico) de espera CMOS
    • niveles de interfaz compatible TTL
    • sola fuente de alimentación
      - 1.65V - 2,2 V VDD (62WV51216ALL)
      - 2,5 V - 3,6 V VDD (62WV51216BLL)
    • Funcionamiento totalmente estática: no hay reloj o actualización necesaria
    • Tres salidas de estado
    • El control de datos de los bytes superior e inferior
    • temperatura industrial disponible
    • disponible sin plomo
  4. Tiempo de entrega: 2 semanas del distribuidor
  5. Pago: T / T por adelantado
Hemos tenido éxito en el establecimiento de nuestra marca y la venta al mercado internacional debido a nuestra excelente calidad y el servicio de

CMOS RAM estática

. Entrega de los productos de mejor calidad que se ajusten a las necesidades culturales de que el cliente es el objetivo último de nosotros.