DDR3 SDRAM
Einzelteil Nr. : | NT5CB256M16CP-DI |
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Land
: Taiwan
Die Stadt
: Taipei
Adresse
: 11493 8F, No.79, Chow Tze St
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Fax
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On-line Ausstellungsraum
:
78 Produkte
SDRAM
- DDR3 (L) 4 GB SDRAM
- Eigenschaften:
- JEDEC DDR3-konform
- 8n Prefetch Architektur
- Differential Clock (CK / CK) und Daten Strobe (DQS / DQS)
- Doppel-Datenrate auf DQS DQS und DM - Datenintegrität
- Auto Selbst Refresh (ASR) von DRAM-Einbau-TS
- Automatische Aktualisierung und Selbst-Refresh-Modus - Energiesparmodus
- Teil Array Selbst Refresh (PASR) 1
- Power Down-Modus - Signalintegrität
- Konfigurierbare DS für Systemkompatibilität
- Konfigurierbare On-Die Termination
- ZQ Kalibrierung für DS / ODT Impedanz Genauigkeit über externe ZQ-Pad (240 Ohm ± 1%) - Signalsynchronisation
- Write Leveling über MR Einstellungen 7
Lesen Sie über MPR Leveling -
- JEDEC DDR3-konform
- Lieferzeit: 7-10 Tage vom Verteiler
- Zahlung: T / T im Voraus