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Random Access Memory dinamica - IS42S16800E-7TLI

Random Access Memory dinamica

Articolo no. : IS42S16800E-7TLI
Particolari del fornitore
Paese : Taiwan
Città : Taipei
Indirizzo : 11493 8F, No.79, Chow Tze St
TEL: +886-2-55825588
Fax : +886-2-55805500
Sala d'esposizione in linea : 78 Prodotti
SRAM
  1. 16M x 8, 8M x16 128Mb Synchronous DRAM
  2. Descrizione: di ISSI 128Mb Synchronous DRAM raggiunge il trasferimento dati ad alta velocità utilizzando l'architettura pipeline.
  3. Caratteristiche:
    Il 128Mb SDRAM è un CMOS, memoria ad accesso casuale dinamica ad alta velocità progettato per operare in sistemi di memoria 3.3V Vdd e 3.3V VDDQ contenenti 134,217,728 bit. Internamente configurato come DRAM quad-banca con un'interfaccia sincrona.
    Ogni banca 33.554.432 bit è organizzato come 4.096 righe per 512 colonne da 16 bit o 4.096 righe 1.024 colonne da 8 bit. Il 128MbSDRAM comprende anAUTOREFRESH MODE, e un risparmio energetico, modalità power-down.
    Tutti i segnali sono registrati sul fronte positivo del segnale di clock, CLK. Tutti gli ingressi e le uscite sono LVTTL compatibili.
  4. Tempi di consegna: 2 settimane dal distributore
  5. Pagamento: T / T in anticipo
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. Fornire i migliori prodotti di qualità conformi alle esigenze culturali del cliente è il fine ultimo di noi.